| 形式性 | IR-FAC | IR-FAI | IR-FAS | IR-FAQI | IR-FAQS | IR-FAQH |
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| 测量方式(测量方式) | 单色型(单色型) | 两种颜色的形状 |
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| 检测元件(检测元件) | 冷却型PbS | InGaAS(InGaAS) | Si | InGaAs/InGaAs | Si/Si/Si | Si/InGaAs |
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| 测量波长. | 2.0µm | 1.55µm(微米) | 0.9微米(微米) | 1.55/1.35µm | 0.85/1.00µm | 1.55/0.9µm |
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| 精度定格(定格) | 70℃以上且小于300℃：±4℃
300℃以上小于500℃：±5℃
500℃以上：测量值的±1.0% | 小于1000℃：±5℃
1000℃以上且低于1500℃：测量值的±0.5%
1500℃以上且低于2000℃：测量值的±1%
2000℃以上：测量值的±2% |
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| 重现性：重现性 | 2摄氏度以内 | 0.2℃(℃) |
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| 温度漂移；温度漂移 | 0.2℃/℃ | 0.1℃或测量值的0.015%/℃或更大的值 | 大于0.2℃/℃或测量值的0.02%/℃的值 |
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| 分辨率(分辨率) | 70℃以上100℃以下：约3℃
100℃以上200℃以下：约2℃，200℃以上：约0.5℃ | 0.5℃。 | 1.0℃(℃) |
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| 响应时间： | 0.01s；0.01s | 0.04 s |
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| 辐射率(比)校正 | 发射率设定值：1.999~0.050※1 | 发射率设定值：1.999~0.050 | 发射率比设定值：1.999~0.050 |
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| 信号调制；信号调制 | DELAY：平均值跟踪(平滑)调制度0.0~99.9s，0.1s步骤任意设定)，调制度0=REAL，
PEAK：最高值的轨迹(调制度0、2、5、10℃/s选择设定)、调制度0=峰值保持) |
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| 显示方式(显示方式) | LCD4位(温度显示部、参数显示部) |
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| 模拟输出；模拟输出 | 4-20 mA直流隔离输出(负载电阻小于500Ω)
精度额定值：输出范围的±0.2%
输出分辨率：输出范围的0.01%
输出缩放：可在测量温度范围内任意设置
模拟输出：可在模拟输出的0-100%范围内任意设置 |
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| 触点输出；触点输出 | 2点，上限·下限·上上限·下下限警报，从错误信号中选择
光电耦合器30V DC，最大50 mA | 一点，上限(下限)警报或错误信号。光电耦合器30V DC，最大50 mA |
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| 接触输入输入 | 一点，峰值保持复位或采样保持。干接点或开路集电极 |
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| 操作键的设置参数 | 操作员模式：设置发射率、信号调制、报警等
工程模式：输出缩放、零、跨度、自动辐射率计算的基准温度输入、输出校正等设定、可选功能的设定 | 操作员模式：设定辐射率比、信号调制、报警等设定
工程模式：输出缩放、零跨度、自动辐射率比运算的基准温度输入、输出校正等设定。设置可选功能 |
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| 运算功能： | 零跨度调整。自动发射率运算※2。输出校正(校正) | 零跨度调整、自动辐射率计算和输出校正 | 零跨度调整、自动辐射率比计算、输出校正 |
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| 自我诊断. | 设备温度异常，参数错误 |
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| 可选的 | 激光投射功能 | 内置半导体激光投光器，激光为1 mW以下(645 Nm)级2。(高灵敏度形状不能内置激光投光) |
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| 模拟输入；模拟输入 | 输入信号：4-20 mA
选择辐射速率的远程设置或自动辐射速率计算的参考温度输入设置 | 输入信号：4-20 mADC
选择辐射速率的远程设置或自动辐射速率比计算的参考温度输入设置 |
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| 通信接口(通信接口) | RS-485
测量数据(小数点后1位)的发送、各设定的参数的发送和接收 |
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| 使用温度范围 | 5-40℃ | 0~50℃ |
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| 额定电源；额定电源 | 24V DC(允许电压波动范围22-28V DC) |
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| 功耗(功耗) | 最多15 VA | 最大3VA(约130 mA) |
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| 如何连接？ | 夹紧式无螺丝端子连接 |
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| 如何安装它 | DIN导轨安装或墙壁安装 |
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| 案例/材质 | 钢板制成的 | 树脂制成的 |
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| 外形尺寸/质量 | W140×H110×D65 mm，约1.0 kg
(仅主体部) | W90×H90×D60 mm，约250g(仅主体部) |
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| CE标记匹配 | CE标记符合(EMC指令：EN5501 Group 1类A，EN50082-2) |
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